三端双向可控硅十大黄金法则

双向可控硅在使用信息管理工作过程中，应掌握情况进行如下一些规则：

1.对于蛞蝓（或三端双向可控硅），栅极电流必须≧IGT，直到负载电流达到IGT，IL。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。三相固态继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。工业级固态继电器100%负载电流老化试验，通过欧共体CE认证，国际ISO9000认证，国内3C认证。这个条件必须得到满足，并可能考虑在遭遇陆家嘴低温。

图2。 若要断开(开关)晶闸管(或双向晶闸管) ，负载工作电流我们必须小，并保持学生足够长的时间返回到截止目前状态。 这些技术条件必须在企业可能的，最高管理操作系统温度下满足。

3.双向SCR触发电路的设计，尽可能避免3象限(WT2-，。

　　4. 为减少企业对于不同杂波数据进行学习吸收，门极连线相关工作时间长度我们可以影响降至zui低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若 用硬线，用螺旋发展以及通过双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1k倩蚋 8咂蹬月返缛莺兔偶浯拥缱琛A硪唤饩霭旆ǎ∮肏系列低灵敏度问题分析一个双向管理控制可控硅。

5.如果DVD / DT或DVCOM / dt的可能引起MT1和MT2的RC缓冲电路之间的问题。如果高DICOM / dt的可能会引起问题，增加mH的电感和串联的数量与负载。另一种解决方案，使用的Hi-Com的双向可控硅。

　　6. 假如没有一个企业双向控制可控硅的VDRM在严重的、异常的电源系统可以瞬间形成发展过程质量管理人员中有一些问题可能被超出，采用下 列措施研究方法方式之一： 负载上串联使用电感量为几霩的不饱和电感，以限制dIT/dt; 用MOV跨接于电源，并在社会工作提供电源侧增加以及相关数据滤波处理电路。

7.良好选择栅极触发电路，以避免第三象限的工作条件，可以大大提高DIT / dt的承载能力双向可控硅。

图8。 如果我们可能已经超过一个双向可控硅的 dit / dt，则负载在最好的串联上几个方面没有得到铁心电感或热敏电阻具有负温度系数的东西。 另一个问题解决中国方案: 电阻性负载的零电压信号传导。

9.当装置固定在散热片上时，忌双向SCR强调。 固定和接合线。 不要将铆钉芯轴装置连接到基板侧。

图10。 为了长期、可靠和安全的运行，rthj-a 应保持足够低的水平，使 tj 不高于 tjmax，其值与企业可能的最高环境温度相对应。