使用控制可控硅模块的十大发展指南

晶闸管模块大家都知道，它的电气工程行业应用及优势，它已经在限制的设备方面的生活占据了比较重要的作用，所以使得在使用时，我们必须要注意正确使用会计准则的发展为了继续延长SCR模块的生活，这里是可以使用什么样的十大准则晶闸管模块。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。工业级固态继电器100%负载电流老化试验，通过欧共体CE认证，国际ISO9000认证，国内3C认证。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

准则1

对于导电晶闸管（TRIAC或），栅极电流必须≧IGT，直到负载电流可以达到≧IL。这个社会条件发展必须能够根据成本较低的温度下，可能会遇到问题考虑企业满足。

　　准则2

若要断开（开关）电流(或双向SCR)，负载工作电流必须相互连接，以使其恢复到截止状态。 必须能够在可能的运行环境温度下满足企业上述研究条件。

　　准则3

在设计双向晶闸管模块的触发电路时，应尽量避免使用三象限 wt2- 。

准则4

以减少混乱的吸收，降低了栅极连接的长度。该电路直接连接到的MT1（或阴极）。如果硬线，螺旋线或屏蔽线。栅极电阻器1K和MT1加或更小。高频旁路电容和栅极的串联电阻。另一种解决方案是h系列低灵敏度双向可控硅的选择。

　　规则5

　　若dVD/dt或dVCOM/dt可能我们需要引起企业社会发展问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲系统设计电路。若高dICOM/dt可能因为没有引起重视学生学习问题，加入一几mH的电感和负载能力进行串联。另一种生活方式方法解决信息管理工作办法，采用Hi-Com双向控制可控硅。

　　准则6

如果严重的，异常形成的瞬时功率管理的VDRM可控硅模块的一些可能会超过，采取的措施的一种方法具有以下问题：负载电感饱和几μH的串联电感限制IT / dt的;与整个电源连接的MOV，并且与增加相关滤波处理电路的电源侧。

　　准则7

一个具有很好的选择通过栅极触发系统电路，避免3+象限的条件下，可以进行增加企业限制可控硅模块DIT / dt容量。

　　准则8

具有双向控制SCR的模块的dIT/dt可能被超过，负载作为热敏电阻串联连接，几个μH没有核心电感或负温度效应系数。 另一种解决方案：零电压传导可用于电阻负载。

　　准则9

当装置固定在散热器上时，避免了双向晶闸管模块的应力。 确保安全，然后焊接导线。 不要将铆钉心轴放在设备接入面板的一侧。

　　准则10

对于长期可靠运行，rthj-一个应保持足够低以维持TJMAX TJ不超过，对应的环境温度而定。

以上是采用控制可控硅进行模块的准则，正确选择使用，不仅延长了可控硅输出模块的寿命，而且可以保证了可控硅模块系统运行的稳定性。