NEW CENTER

了解最新的行业资讯和公司动态

使用控制可控硅模块的十大发展指南

使用控制可控硅模块的十大发展指南

晶闸管模块大家都知道,它的电气工程行业应用及优势,它已经在限制的设备方面的生活占据了比较重要的作用,所以使得在使用时,我们必须要注意正确使用会计准则的发展为了继续延长SCR模块的生活,这里是可以使用什么样的十大准则晶闸管模块。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。工业级固态继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

准则1

对于导电晶闸管(TRIAC或),栅极电流必须≧IGT,直到负载电流可以达到≧IL。这个社会条件发展必须能够根据成本较低的温度下,可能会遇到问题考虑企业满足。

  准则2

若要断开(开关)电流(或双向SCR),负载工作电流必须相互连接,以使其恢复到截止状态。 必须能够在可能的运行环境温度下满足企业上述研究条件。

  准则3

在设计双向晶闸管模块的触发电路时,应尽量避免使用三象限 wt2- 。

准则4

以减少混乱的吸收,降低了栅极连接的长度。该电路直接连接到的MT1(或阴极)。如果硬线,螺旋线或屏蔽线。栅极电阻器1K和MT1加或更小。高频旁路电容和栅极的串联电阻。另一种解决方案是h系列低灵敏度双向可控硅的选择。

  规则5

  若dVD/dt或dVCOM/dt可能我们需要引起企业社会发展问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲系统设计电路。若高dICOM/dt可能因为没有引起重视学生学习问题,加入一几mH的电感和负载能力进行串联。另一种生活方式方法解决信息管理工作办法,采用Hi-Com双向控制可控硅。

  准则6

如果严重的,异常形成的瞬时功率管理的VDRM可控硅模块的一些可能会超过,采取的措施的一种方法具有以下问题:负载电感饱和几μH的串联电感限制IT / dt的;与整个电源连接的MOV,并且与增加相关滤波处理电路的电源侧。

  准则7

一个具有很好的选择通过栅极触发系统电路,避免3+象限的条件下,可以进行增加企业限制可控硅模块DIT / dt容量。

  准则8

具有双向控制SCR的模块的dIT/dt可能被超过,负载作为热敏电阻串联连接,几个μH没有核心电感或负温度效应系数。 另一种解决方案:零电压传导可用于电阻负载。

  准则9

当装置固定在散热器上时,避免了双向晶闸管模块的应力。 确保安全,然后焊接导线。 不要将铆钉心轴放在设备接入面板的一侧。

  准则10

对于长期可靠运行,rthj-一个应保持足够低以维持TJMAX TJ不超过,对应的环境温度而定。

以上是采用控制可控硅进行模块的准则,正确选择使用,不仅延长了可控硅输出模块的寿命,而且可以保证了可控硅模块系统运行的稳定性。

新闻资讯

美杰尔服务

销售热线:0577-27862087 售后服务: 0577-61713027
技术支持:0577-61771067