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关断可控硅原理介绍

关断可控硅原理介绍

可切换控制晶闸管也属于 pnp 四层三端结构,其等效系统电路与普通晶闸管进行相同。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。三相固态继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。 虽然在经济结构和触发导通原埋方面与常用的可控硅可以相同,但两者的关断技术原理和关断保护方式方法却有一个很大的不同。

普通晶闸管在与保持电流相比后被关闭,从而降低IH正向电流,或施加电压要求强制关闭。 后应用到电极到负触发脉冲控制的关断晶闸管使用,只需关断即可。 不同的是,对于关机后的晶闸管饱和,这一原理是不同的。 在深饱和传导上共享SCR后,即晶闸管只能在临界饱和时关闭,提供耦合到负关断信号到触发器的控制电极。

它既保留了普通晶闸管的高压电阻和大电流的优点,又具有自动关断的特点,给企业带来极大的方便,广泛应用于斩波器、变频器、电子设备开关、恒压频率调制装置和电源管理系统。

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