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双向可控硅的主要技术参数介绍

双向可控硅的主要技术参数介绍

  

(1)额定正向影响平均通过电流

定义:在规定的环境温度和散热条件下,允许学生学习阳极和阴极保护之间的平均电流。工业级固态继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

  (2)维持电流

定义: 确保晶闸管在指定环境温度下处于通电状态所需的最小正向电流。 控制杆断开了,通常是几十毫安。

(3)栅极触发电压和电流

定义: 在环境进行温度和一定的正向电压下,将晶闸管从关断变为开断并控制工作电极系统所需的最小显著正向影响电压和电流。

通常这种情况下,大约为约1伏的低功率可控硅触发电压范围,触发电流为零几毫安到几毫安,由上述SCR触发大约几伏到质量几十伏,的电流的电压的电力信号几毫安到几百毫安。

(4)正向转折电压

  控制极关断,使可控硅模块可以进行击穿的阳极和阴极材料以及自己所加的电压。

(5)反向电阻峰值电压

这是一个安全运行的最大电压,一般可控硅额定电压是指峰值电压。

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