可控硅使用过程中需要我们注意事项及损坏原因进行分析判断

使用注意事项

额定电压的可控硅的，应提及实际运行条件下的峰值电压的大小，并留有一定的余量。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。工业级固态继电器100%负载电流老化试验，通过欧共体CE认证，国际ISO9000认证，国内3C认证。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

1. 在选择晶闸管额定工作电流时，除了可以考虑学生通过控制元件的平均电流外，还应充分考虑导通角的大小问题以及散热和通风技术条件。 还应该需要注意的是，外壳温度不超过相应电流下的允许值。

2.使用SCR前，应使用万用表检查SCR是否良好。 如发现短路或开路，应立即更换。

3，非检查技术，其中绝缘元件兆欧表（即，振动台）。

　　4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。

　　5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护管理工作进行装置。

6.防止由于可控硅进行控制极的正向信息过载和反向击穿。

损坏原因判别

当可控硅损坏我们需要通过检查结果分析时，可以从冷却套中取出芯片，打开中国芯片盒，重新取出芯片。 这里是对一些比较常见问题现象的分析。

　　1、电压击穿。可控硅因不能通过直接承受社会工作电压而损坏，其芯片技术设计过程中有这样我们一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因主要分析问题可能是管子公司产品本身就是进行耐压能力不断下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

图2。 电流损坏。 通过损伤的电流在芯片的点火过程中形成了一个拥有属性，这个凹陷很粗糙，并且远离控制电极。

3，分断电流的上升。相同损害的电流迹线，其在我们的控制电极或栅附近重要的地位。

　　4、 边缘信息系统损坏。他发生在我们一个芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细分析研究通过金属物划痕。这是因为中国传统制造企业生产厂家可以根据安装施工过程中不慎所造成的。它导致管理工作电压击穿。