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可控硅控制特性会导致通过可控硅误放电

可控硅控制特性会导致通过可控硅误放电

可控硅正常导通是栅极信号可以触发。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。三相固态继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。工业级固态继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。 闸门触发控制信号工作强度达不到SCR国家标准时,SCR正导通。 此时,正向冲击电流必须超过国家标准管理规定才能保持电流,否则,不能接通。

有两种不同的情况会使晶闸管产生误导: 1、所选晶闸管“关态非重复峰值电压”通常称为正向冲击峰值耐受电压或正向转向电压偏低。 当增加的正向电压达到峰值时,晶闸管立即打开。 因此,前向雪崩电流的大幅度增加增加了前向漏电流,输入载流子满足导通条件。 采用过电压保护管理措施可以避免误导信息。 2、正向电压的增长率超过了国家标准值。 当晶闸管阻断时,阴、阳极材料之间不存在结电容。 当阳极电压突然加大时,容易产生自身的充电电容电流。 因此,必须研究管子的最大正向电压电平上升速率以限制其上升速率,通常采用在晶闸管两端并联阻容吸收元件的方法。

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