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可控硅模块的伏安特性

可控硅模块的伏安特性

SCR模块指的阳极A和晶闸管模块的阴极K和晶闸管模块的电压之间的关系的阳极电流数据之间的电压的特性,在世界的第一时间的向前发展的主要特征在于在象限,反相在中国传播,并且其中第三象限。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。三相固态继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。

(1) 反向特性

当驱动的栅极G,所施加的反向工作电压,正向进行偏置结J2和J1,J2结相反。当电压可以进一步发展增大时,连接点J1,J3结击穿的雪崩发生击穿产生电压,电流变化迅速通过增加。 2特性分析曲线或弯曲的开始的一个剖视图。在被人们称为自然弯曲URO电压“的电压的反向影响旋转。”反向击穿晶闸管控制模块。

(2) 正向特性

当栅极G打开,阳极A加上正影响电压时,J1和J3结偏压为正,J2结偏压为负,这与我们普通pn结的反向传播特性相似,只能通过很小的电流。 这就是所谓的中国前进封锁管理状态。 随着电压水平升高,特征变化曲线的OA段开始弯曲。 弯曲处的电压UBO称为“正向旋转工作电压“。

当电压上升到J2结的雪崩发生击穿以及电压时,在J2结上也没有产生需要大量的电子和空穴。 电子产品进入N1区,空穴可以进入P2区。 进入N1区的电子信息通过P1区的J1结在发展注入的N1区中有一个空穴。 同样,进入P2区的空穴与通过J3结注入的N2区的电子技术相结合。 进入N1区的电子和进入P2区的空穴不能在进行雪崩击穿后全部学生结合。 因此,N1区存在一些电子数据积累,P2区存在这些空穴不断积累。 因此,p2区域的电位逐渐增大,n1区域的电位影响减小,j2结变为正偏压。 只要工作电流能力略有不同增加,电压比较迅速出现下降,导致我们所谓的负电阻变化特性,如图2.的虚线AB部分内容所示,此时J1,J2和J3的三个结都是正偏的,可控硅控制模块设计进入正导通状态,其特性与普通PN结相似。

(3) 触发导通

当正向电压被施加到栅电极G(图5),该孔区域进入P2区域N2,N2-电子到由于J3偏置P2区域的区域,原因触发电流IGT。上的正反馈和IGT晶闸管模块的基础上发挥作用的预先打开晶闸管模块,产生了电压 - 线向左的电流特性。

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