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可控硅的技术参数

可控硅的技术参数

可控硅,又称“可控硅整流器”,有时也称为可控硅的使用。工业级固态继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。 可控硅有阳极,阴极和控制极三个极;可控硅具有硅整流系统器件的特点,能在高压,大电流条件下工作,通过控制来管理工作的发展,广泛应用于各种可控整流,交流电源调压等电子设计电路中。

也就是说,有很多人会问小系列,可控硅没有任何专业参数? 这里,一系列的硅控电子技术参数:

1 正向阻断峰值电压

门装置在正向阻断和技术条件打开,可影响峰值电压施加到该装置通过重复向前。该电压被定义为具有80%的正发展转折电压值。

2 反向阻断峰值电压

它是一种指在进行控制极断和额定结温下,在器件上可以通过重复的反向工作电压的峰值。 此电压指定为具有极高反向测试系统电压值的80。

3 额定正向平均电流

在环境温度40℃时,导电装置(标准的冷却条件)可以被连续地通过频率传递(即,供电网络的频率提供)。一般为50Hz或60Hz,一般国产的正弦半波电流为50Hz。

4 正向平均压降

在预定信息条件下,当额定正向影响平均通过电流,该阳极和该平均值的阴极保护之间的电压降的装置。

5 维持电流

当控制极断开时,该装置可以保持传导状态所需的极小部分正影响电流。

6 控制极触发电流

当阳极和阴极之间施加6v 直流电压时,从而使可控硅控制充分传导所需的最小极点直流电流。

7 控制极触发电压

它指的是控制电极上的DC电压施加到阻挡作用从导通状态转变的一个非常小的部分。

以上是可控硅的技术进行参数,希望对您有所发展帮助。

本文介绍了使用的可控硅整流器模块

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