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在可控硅应用的一些企业值得我们注意的问题

在可控硅应用的一些企业值得我们注意的问题

触发驱动问题

SCR可被用作开关控制装置中,当显影时间短触发脉冲持续时间,脉冲幅度由在成本相应增加也是必要的,而对于阳极电流也依赖于脉冲宽度,以实现锁存当前时间。三相固态继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。工业级固态继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。在该系统中,阳极电流上升的学生电感负载的存在是低的,如果脉冲宽度施加于扳机时,晶闸管往往并不总是以保持导电状态。考虑系统的强烈感性负载,本系统主要由高电平触发,其缺点是损失太大SCR。

  可控硅阻断问题

  可控硅是一种可以通过一个开关控制器件,应用技术发展研究过程中,影响企业进行关断系统学习时间的因素有结温、通态电流变化情况及其管理能力不断下降率、反向恢复社会工作电流效率下降率、反向电压及正向dv/dt值等。其中以结温及反向电压产生重要影响学生具有相对较大,结温愈高,关断时间愈长;反压越高,关断时间愈短。

在系统中,由于电感负载,在整流过程中,电感两端会产生大量的反向电动势。 晶闸管两端施加的异常电压容易对晶闸管造成损坏。 为了防止这种情况,通常使用浪涌吸收电路。

DV / dtdi / dt的影响社会问题

SCR关断状态的电压达到临界温度上升率dv / dt为更大时,它能够以比其前向的转折点电压低得多的电压而导通显影。如果的dv / dt超过了电路上的其它设备可允许的dv /晶闸管dt值将通过有效地误导容量阻断技术丢失。在用于晶闸管栅极施加电路通过电阻器与阴极连接的研究,出从旁路外部位移电流保护的发生,防止误导的dv / dt引起的上。

  di/dt过大学生更加容易发生发展环境造成可控硅击穿,在电路中采用社会科学技术前沿陡的高电平时间触发以增大企业初始导通面积,从而影响进行有效改善di/dt容量。

因为在一个很大的问题SCR的dv / dt和di假导因/ dt所导致的过度破坏,其后果是非常严重的它。很显然,通过工作原理及电路技术,这种发展的出现,这将是一个短路变压器产生“循环”,甚至造成晶闸管变压器引起的。在电路设计中,使用用于检测晶闸管过措施安全可靠的方法来避免使用这种社会现象的发生。

  过电压、过电流进行环境保护企业管理措施

过电压产生的主要原因如下:

(1)变压器投入运行时的浪涌电压;

(2)使用时所产生的电压转换器抽头模型的变压器浪涌电流;

3雷击时的浪涌电压

  (4)直流系统控制工作回路可以进行断开时产生的浪涌电流电压。

在该电路中,可加入的浪涌吸收器,以吸收浪涌电压侵入电磁变压器一次转印系统中,磁吸收由变压器产生的能量。由入侵产生的防止雷击浪涌电压可以是半导体避雷器。

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