如何可控硅模块的参数

晶闸管控制模块又称晶闸管模块，是硅整流系统中的主要设备。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。工业级固态继电器100%负载电流老化试验，通过欧共体CE认证，国际ISO9000认证，国内3C认证。 通过选择合适的可控硅模块的重要技术参数，使设备管理更好地运行，延长网络生命周期。

1.选择正反向电压

没有栅极信号SCR模块，控制电流Ig是零，阳极（A）之间由雌鸟（K）加长杆（J2）是反向偏置的一个，从而使设备高阻抗状态，被称为正向阻断状态，并且如果增加了UAK VBO达到一定值时，晶闸管被块突然接通时，该值被称为前向转折电压VBO，它是不导电的正常传导，会缩短装置的寿命。你一定要选择足够的阻挡直接重复峰值电压（VDRM）。当阴极加上由一个阳极之一，和三个PN结（J1和J3）的设备之间的反向电压是反向偏置，在一个关断状态。当增加反向电压达到一定值VRB晶闸管反向阻断突然进入导通状态，此时是反向击穿，该装置可能会损坏。而VBO和VRB重复施加的电压值变小。在电感负载，诸如磁分离装置整流罩的情况下。当断开时将产生一个高电压（∈= -Ldi / dt）的，如果没有在电路上良好的吸收电路，该电压会损坏可控硅整流器模块。因此，可控硅整流器模块还必须具有足够的反向电压VRRM。

可控硅模块在变流器（如电机车）中工作时，必须自己能够以电源系统频率进行重复地经受到了一定的过电压而不影响其工作，所以正反向峰值电压技术参数VDRM、VRRM应保证在正常生活使用不同电压达到峰值的2-3倍以上，考虑到学生一些问题可能会导致出现的浪涌电压环境因素，在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数可以选取。

2.选择额定工作人员进行电流可以通过参数

可控硅额定电压电流，导通电流IT均匀地在一定经济条件下，即，+ 40℃预定的冷却技术条件，并且在这样一个系统单相交流频率的正弦半波阻性负载，在环境不同温度下的导通角为不小于L70度。下在该电路中，当额定结温稳定发展状态可以均匀的电流没有答应。通常通过转换器需要同时提高工作，每个臂具有控制晶闸管不均匀导致流动的因素。在170℃在大多数企业情况下，可控硅不能导通角工作，这通常角少。晶闸管额定输入电流的这种情况选择我们必须是稍大，一般教师应为1.5?2.0倍的正常的均匀的电流值。

3.选择关断时间

阳极电流可以降低到0后，如果立即加正日出电压，即使没有栅极信号，也会重新导通，如果再发展加正日出电压通过后，器件才能承受一定的工作时间的反向偏置电压，不会造成误导，说明SCR模块关断需要有一定的时间，恢复其阻断技术能力。