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教你辨别损坏的SCR控制模块的原因

教你辨别损坏的SCR控制模块的原因

可控硅模块损坏时,一定要能够及时研究发现损坏原因,然后可以立即做故障信息处理,下面教大家对于如何通过区分可控硅模块损坏的原因。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。工业级固态继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。

当晶闸管模块损坏,冷却套可以从芯片去除,芯片仓在打开,取出芯片。让我们来看看一些常见的图像。

电流可以进行数据损坏。电流通过损坏的痕迹主要发展特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其方位在中国企业需要远离我们自己操控极上。

电压击穿。 可控硅不能因接受工作电压而损坏,其芯片设计有这样一个没有光的小孔,有时需要用膨胀镜看到。 原因可能是当公司本身降低其电压电阻或断开时发生的高压击穿。

损坏电流增长率。 电流轨迹被电流轨迹损坏,其邻近的方向控制电极或控制电极。

边际损害。他发生在芯片外倒角,略有光泽孔。可以用放大镜倒角面可以看出触及金属物体进行仔细研究。这是偶然形成的生产厂家的本控制装置。它使工作电压击穿。

以上4个原因为可控硅模块设计常见损坏主要原因,遇到可控硅模块以及损坏,应冷静处理分析。

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