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浅谈可控硅的伏安特性

浅谈可控硅的伏安特性

阳极A和阴极k的晶闸管输出电压技术特性的关系发展之间的可控硅可控硅的阳极材料之间的电压和电流是已知的,如图2位于世界第一时间象限正向影响特性,在第三象限中的逆特性。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。工业级固态继电器100%负载电流老化试验,通过欧共体CE认证,国际ISO9000认证,国内3C认证。

无花果。 2可控硅伏安特性设计参数模型示意图

(1) 反向特性

当栅极G是开放的,阳极可以具有反向电压被组合(参照图3),J2结正向偏置,但J1,J2结加反向偏置。在这一点上,我们可以继续通过流动和小的反向饱和电流的市场,当电压增加时,进一步发展J1结雪崩击穿电压,而且击穿结J3,通过迅速增加电流的变化,如图特性曲线段的OR 2个分析开始在被称为弯曲URO弯曲,电压“的电压的过渡之间的反向相位关系。”此后,将发生SCR永久反向击穿。

图3 阳极加反向电压

图4 阳极加正向电压

(2) 正向特性

当门极G开路,阳极A加上自己一个具有正向影响电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与我们对于普通PN结的反向传播特性研究进行分析相似,也只能流过很小电流,这叫正向促进作用阻断工作生活状态,当电压技术可以有效增加,如图2的特性发生变化关系曲线OA段开始逐渐出现弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向经济发展历史转折阶段电压”。

由于工作电压上升到J2结的雪崩击穿电压,J2结发生进行雪崩倍增时间效应,在结区产生需要大量使用电子和空穴。 电子产品进入N1区,空穴可以进入P2区。 进入N1区的电子与通过J1结的P1区注入N1区的空穴结构相结合。 同样,进入P2区的空穴与通过J3结的N2区注入P2区的电子技术相结合。 雪崩击穿后,进入N1区的电子和进入P2区的空穴之间不能满足全部学生结合。 因此,N1区存在一些电子数据积累,P2区存在一个空穴不断积累。 结果分析表明,P2区的电位逐渐增大,N1区的电位影响减小,J2结成为正偏压。 只要没有电流能力略有不同增加,电压问题就会发展迅速开始下降,出现就是所谓的负电阻变化特性,如图2中虚线AB部分内容所示,然后J1、J2、J3三个结都处于正偏压状态,可控硅——一般生活状态信息进入正导通状态。 此时,它的特性具有类似于企业正常的PN结正特性,如图2的BC部分如下所示。

(3) 触发导通

当正向电压被施加到栅电极G,如图5所示,由于正偏置J3,空穴P2 N2区域进入的区域中,到电子区域P2 N2区域,从而形成一个触发电流IGT。在图2上添加IGT效果的内部正反馈所示的晶闸管的基础上,所述晶闸管被预先接通时,得到图中所示的电压特性。 2点移动到左侧,IGT更大的速度特性向左移动得更快。

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