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看看我们周围,看看:利用控制可控硅

看看我们周围,看看:利用控制可控硅

在电子元器件中,采用单向晶闸管或双向晶闸管作为开关用于中国家电,调压装置的实现开发非常简单方便,不仅学生如此,还能有效控制直流,交流学习电路的负载功率。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。三相固态继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。 在这里,小编和大家谈谈SCR在现实生活中的应用范围

1、触发电路的问题

如果要触发可控硅导通,我们中国必须有一个正确的极性以及外界进行足够的幅度和脉冲可以触发,触发学生必须有系统电路和晶闸管阴极保护之间的公共参考点。一些工作电路结构表面的,触发脉冲被施加到晶闸管触发电极G,但所述事件触发数据信号和所述晶闸管的阴极,但没有实现共同的参考点,未在可控硅之间通过施加触发G-k中的信号,可控硅不能被触发。

2、电感负载的应用

可控硅可用于控制感性负载的存在,如电风扇、交流接触器、变压器供电系统设备等,但不同。 由于我们的移相触发电路,可控硅在半周的连续开发周期内接通,半周的过零周期是公司的结束。 当晶闸管接通时,加在电感负载两端的输出电压是交流电流的瞬时值,有时可能是由于交流电流的大值引起的。 根据实际电感的特点,两端的电压技术不能突然改变。 当高电压施加到电感上时,会产生与施加电压相反的反向自感电势。 施加电压的上升趋势曲线越高,自感应电位越高,有时甚至超过其它功率模块的电压,导致击穿可控硅。 因此,晶闸管控制采用电感负载,首先,其电压高于传统电源设计电压峰值的1.5倍以上。 另外,rc 峰值吸收利用电路应该在两个晶闸管电极之间并联。 研究电阻和0.1ー0.47 uf / 600v 的非极性电容通常为10ー30 / 3w。

在交流系统功率进行调节控制电路中,在交流零点期间,晶闸管被关闭。 理论上,电流发生变化发展条件为零,没有一个感应输出电压。 加入RC尖峰抑制电子电路,抑制可控硅传导作用过程中的自感应势尖峰。 如果我们不加处理电路,不仅可控硅容易出现击穿,负载电路的电感线圈也会产生匝间或电机绕组击穿,这一点也是不容忽视。

这是SCR的应用程序,你已经学会了吗?

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